STP140NF55

STP140NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列，采用TO-220AB封装。该器件设计用于处理高达55V的漏源电压和80A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为8毫欧，能显著降低通态损耗，提升系统效率。

此外，该MOSFET具备合理的栅极电荷和输入电容，有利于实现快速的开关切换并控制驱动损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的最大功率耗散能力，确保了其在 demanding 应用环境下的高可靠性与热稳定性，适用于各类开关电源和电机驱动等功率转换场景。

• 型号:STP140NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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