STL33N65M2技术参数详情：
STL33N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用先进的M2技术，在650V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了低至154毫欧（@10A,10V）的导通电阻，并具备20A（Tc）的连续漏极电流能力，显著降低了功率应用中的传导损耗。
其开关特性经过优化，最大栅极电荷（Qg）仅为41.5nC，有助于实现快速开关并降低相关损耗。器件采用PowerFlat HV（8x8）表面贴装封装，提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积，工作结温范围达-55°C至150°C，功率耗散能力为150W（Tc），确保了在高功率密度设计中的可靠性与稳定性。
- 型号:STL33N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:154 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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