STL3N65M2技术参数详情：
STL3N65M2是ST意法半导体MDmesh M2系列中的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的超结技术，在紧凑的PowerFlat封装内实现了650V漏源电压与低导通电阻（1.8欧姆 @ 10V, 1A）的高效结合，专为提升开关电源能效而设计。
其核心优势在于极低的栅极电荷（最大5nC）和输入电容，这显著降低了开关损耗，支持更高频率的操作。同时，高达2.3A的连续漏极电流和22W的功率耗散能力，确保了其在-55°C至150°C结温范围内的稳定输出与可靠性，非常适合空间受限的高密度电源应用。
- 型号:STL3N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:155 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:22W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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