STL40C30H3LL技术参数详情：
STL40C30H3LL是意法半导体STripFET VI系列中的一款双通道、互补型功率MOSFET阵列，采用先进的PowerFLAT 8-PowerVDFN封装。该器件集成了一个N沟道和一个P沟道逻辑电平MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，分别支持高达40A和30A的连续漏极电流，最大功耗为60W。
其核心电气性能突出，具备极低的导通电阻（典型值21mΩ @ 10V）和栅极电荷（最大值4.6nC @ 4.5V），这直接带来了更低的传导损耗与开关损耗，显著提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在恶劣环境下的可靠性。该芯片专为空间受限的高效功率开关应用而设计，是同步整流和电机驱动等电路的理想选择。
- 型号:STL40C30H3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 40A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:N 和 P 沟道
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A，30A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 24V
- 功率 - 最大值:60W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 现在可以订购STL40C30H3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
