STL45N10F7AG

STL45N10F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在紧凑的PowerFlat封装内实现了优异的电气特性，其关键参数包括100V的漏源电压（Vdss）、18A的连续漏极电流（Id）以及在10V Vgs下仅24毫欧的最大导通电阻（Rds(on)），确保了低导通损耗和高功率密度。

此外，其较低的栅极电荷（Qg，典型值19.5nC @ 10V）有助于实现高速开关，降低开关损耗和驱动需求。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和72W的功率耗散能力，使其能够可靠地应对汽车及工业环境中的严苛温度条件和功率处理要求。

• 型号:STL45N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL45N10F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。