STWA70N65DM6技术参数详情：
STWA70N65DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为650V，在25°C壳温下可承受高达68A的连续漏极电流，最大功率耗散为450W，为高功率应用提供了坚实的基础。
其核心卖点在于极低的导通电阻（典型值40mΩ @ 10V, 34A）与优化的栅极电荷（最大值125nC @ 10V）相结合，这显著降低了传导与开关损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-247通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业电源、电机驱动和新能源逆变器等高压、高效率应用中的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STWA70N65DM6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 68A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4900 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
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