STL45N65M5技术参数详情：
STL45N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V系列。该器件采用PowerFLAT（8x8）表面贴装封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss），在壳温条件下可支持高达22.5A的连续漏极电流。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优异平衡。在10V驱动下，其导通电阻典型值极低，配合仅82nC的低栅极电荷，能显著降低传导与开关损耗，提升系统效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）与出色的封装散热能力（最大功耗160W @ Tc），确保了其在工业级高功率密度应用中的高可靠性与稳定性。
- 型号:STL45N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta），22.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:86 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3470 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFLAT（8x8）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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