STL18NM60N技术参数详情：
STL18NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于成熟的MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）额定值与低导通电阻（Rds(on)）特性的结合，在10V Vgs、6A Id条件下典型值仅为310毫欧，有效降低了导通损耗。
此外，器件具备优异的动态性能，其栅极电荷（Qg）低至35nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，在提供紧凑占位面积的同时，确保了出色的散热能力，支持高达110W（Tc）的功率耗散和12A（Tc）的连续漏极电流。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源设计的可靠选择。
- 型号:STL18NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta），12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），110W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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