STL4N80K5

STL4N80K5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源电压（V_DSS）额定值与经过优化的动态特性，旨在为高压开关应用提供卓越的效能。

其技术参数针对降低损耗进行了深度优化，在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，同时栅极电荷（Q_g）与输入电容（C_iss）也维持在较低水平，这共同促成了更快的开关速度和更低的开关损耗。2.5A的连续漏极电流能力和表面贴装设计，使其成为追求高功率密度和高效率设计的理想选择，尤其适用于紧凑型开关电源和功率转换系统。

• 型号:STL4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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