STL4P2UH7

STL4P2UH7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat（2x2）封装的P沟道功率MOSFET，属于其高性能的DeepGATE和STripFET VII产品系列。该器件设计用于20V、4A的中低功率开关应用，其核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。

具体而言，其在4.5V Vgs驱动下导通电阻最大值仅为100mΩ，同时栅极电荷低至4.8nC，这确保了高效的功率传输与快速的开关切换，能有效降低系统的传导与开关损耗。器件支持低至1.8V的逻辑电平驱动，并采用紧凑的表面贴装封装，非常适合空间受限的便携式电子设备中的电源管理、负载开关及DC-DC转换等电路设计。

• 型号:STL4P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
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