STP45N10F7技术参数详情：
STP45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了STripFET VII先进沟槽工艺与DeepGATE技术，在100V漏源电压和45A连续漏极电流的规格下，实现了极低的导通电阻（典型值18mΩ @ 10V, 22.5A）与栅极电荷（最大值25nC @ 10V）。
这一参数组合使其在导通损耗和开关损耗方面均有优异表现，特别适合用于提升开关电源和功率转换系统的效率。器件兼容标准逻辑电平驱动，工作结温范围宽（-55°C至175°C），为设计高可靠性、高效率的功率开关电路提供了稳健的解决方案。
- 型号:STP45N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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