STL50N6F7

STL50N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在60V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够处理高达50A的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），典型值在10V V_GS下仅为14毫欧，有效降低了传导损耗。

其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷（Q_g）为17nC，有助于实现快速开关并减少开关损耗。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，支持高达175°C的结温工作，功率耗散能力达71W，确保了在高温、高功率密度应用中的可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的优选功率开关器件。

• 型号:STL50N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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