STL57N65M5技术参数详情：
STL57N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，旨在最大限度地降低传导损耗，提升系统整体能效。
其采用热增强型PowerFlat HV表面贴装封装，具备优异的热性能，支持高达189W（Tc）的功率耗散和150°C的结温，确保了在高功率应用中的稳定运行。优化的栅极电荷（Qg）和开关特性使其适用于高频开关场景。这款MOSFET主要面向高效率开关电源（SMPS）、工业电机驱动及新能源逆变系统等中高功率应用，为设计紧凑、可靠的功率转换方案提供了关键组件。
- 型号:STL57N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta），22.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），189W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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