STL5N80K5

STL5N80K5是意法半导体基于其MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心特性在于其800V的漏源电压（Vdss）与3A的连续漏极电流（Id）额定值，结合仅为1.75欧姆的低导通电阻（Rds(on)），为高压开关应用提供了高效的电能传输路径。

其技术优势突出体现在动态性能上，极低的栅极电荷（5nC）和输入电容（177pF）显著降低了开关损耗，支持更高频率的操作，有助于实现电源系统的小型化。器件采用热增强型PowerFlat VHV表面贴装封装，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在紧凑空间内仍具备可靠的功率处理能力和散热性能。

• 型号:STL5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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