STL60N10F7

STL60N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进沟槽技术的STripFET VII产品系列。该器件额定电压为100V，在25°C壳温下可连续通过46A电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值18mΩ @ 10V, 6A）和较低的栅极电荷（25nC @ 10V），这共同确保了在高频开关应用中实现低导通损耗与低开关损耗，从而提升系统整体效率。

器件采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，支持高达175°C的结温工作，并提供72W（Tc）的最大功率耗散能力，兼顾了高功率密度与可靠性。这些特性使其成为电机驱动、DC-DC转换器及各类紧凑型高效电源设计的理想选择。

• 型号:STL60N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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