STL60P4LLF6

STL60P4LLF6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能P沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET F6产品系列。其核心优势在于在40V漏源电压（V_dss）下，能够提供高达60A（Tc）的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻，典型条件下低至毫欧级，显著降低了传导损耗。

该器件设计注重开关效率，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）参数经过优化，有利于实现快速开关并减少驱动损耗。其宽泛的栅极驱动电压范围（最大±20V）和高达175°C的结温工作能力，确保了其在各种严苛的电源管理、电机控制和负载开关应用中的稳定性和耐用性。

• 型号:STL60P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3525 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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