STP80NF55-06技术参数详情：
STP80NF55-06是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括55V漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流，为高功率应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于极低的导通损耗与优秀的开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.5mΩ @ 40A，同时栅极电荷（Qg）低至189nC @ 10V。这一组合有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。器件支持高达300W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。
- 型号:STP80NF55-06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP80NF55-06，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
