STL65DN3LLH5技术参数详情：
STL65DN3LLH5是ST意法半导体生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET，隶属于STripFET V产品系列。该器件采用PowerFLAT（8-PowerVDFN）表面贴装封装，在30V的漏源电压（Vdss）下可支持高达65A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值6.5mΩ）和优化的开关特性。
其逻辑电平门驱动（Vgs(th)最大1.5V）使其可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。结合较低的栅极电荷和输入电容，该MOSFET能够实现高效率和高频开关操作，适用于高功率密度应用。其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在广泛环境条件下的可靠性。
- 型号:STL65DN3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 9.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 25V
- 功率 - 最大值:60W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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