STF6N80K5

STF6N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心特性在于800V的高漏源电压（V_DSS）与优化的导通电阻（R_DS(on)）相结合，在高压应用中实现了低传导损耗。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为1.6Ω（@2A），同时具备低至13nC的栅极电荷（Q_g @10V），这共同确保了高效、快速的开关性能。其连续漏极电流（I_D）在壳温条件下可达4.5A，最大功耗25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计提供了高可靠性和灵活性。

• 型号:STF6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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