STL65N3LLH5

STL65N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V产品系列。该器件核心优势在于其低压大电流处理能力，具备30V的漏源电压（V_DSS）和高达65A（Tc）的连续漏极电流，专为高效功率转换而设计。

其关键技术参数突出了低损耗特性：在10V V_GS下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.8mΩ，显著降低了导通状态下的功率耗散。同时，极低的栅极电荷（Qg(max) 12nC @ 4.5V）确保了快速的开关速度，有利于提升高频开关电源的效率。器件采用表面贴装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于空间受限且要求高可靠性的应用环境。

• 型号:STL65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 65A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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