STL66N3LLH5技术参数详情：
STL66N3LLH5是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET V技术和PowerFlat（5x6）封装。其核心优势在于在30V的电压等级下，实现了80A的高电流处理能力和极低的5.8毫欧导通电阻（@10V Vgs），显著降低了功率损耗。
该器件具备12nC的低栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），确保了高效的开关性能和高温环境下的可靠性。这些特性使其成为汽车电机控制、DC-DC转换及高密度电源管理等要求高效率、高可靠性和紧凑布局应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STL66N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 10.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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