STE26NA90技术参数详情：
STE26NA90是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用底座安装的ISOTOP封装。其核心电气特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和26A（Tc）的连续漏极电流，能够满足高压、大电流应用场景的耐压与载流需求。
该器件的关键优势在于其优异的导通性能，在10V Vgs条件下，13A电流时导通电阻最大值仅为300毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷为660nC，优化了开关动态性能。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高效能功率转换系统的理想选择。
- 型号:STE26NA90
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ISOTOP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:300 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:660 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 供应商器件封装:ISOTOP
- 封装/外壳:ISOTOP
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