STL6NM60N技术参数详情：
STL6NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和5.75A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的功率处理基础。
其技术优势体现在优异的动态特性上，例如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于实现高速开关并降低驱动损耗。同时，在10V栅极驱动下具有较低的导通电阻（Rds(on)），有效减少了导通期间的功率耗散。器件采用热增强型的表面贴装PowerFLAT封装，确保了良好的散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对效率和可靠性要求较高的电源转换系统。
- 型号:STL6NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.75A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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