STL7LN80K5技术参数详情：
STL7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），专为高效的高压开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好结合。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.15欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，最大12nC的栅极电荷（Qg）有利于降低开关损耗并支持更高的开关频率。器件结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STL7LN80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 现在可以订购STL7LN80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
