STL7N10F7

STL7N10F7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET VII产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）可达7A，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值35mΩ @10V）与优化的栅极电荷（Qg最大值14nC @10V）的平衡，这直接转化为更低的传导损耗和更高的开关频率能力。

其紧凑的3.3x3.3mm表面贴装封装提供了出色的热性能，支持高达50W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为空间受限且对效率要求严苛的现代电源和电机驱动应用的理想解决方案。

• 型号:STL7N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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