STL7N60M2

STL7N60M2是ST意法半导体推出的一款采用MDmesh技术的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与优化的动态特性之间的出色平衡，适用于高压开关应用。

其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下提供较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）得到有效控制，这共同确保了高效率与快速开关性能。器件采用散热性能优异的PowerFLAT表面贴装封装，在25°C壳温下可承受5A的连续漏极电流，最高结温达150°C，满足紧凑型、高可靠性电源设计的严苛要求。

• 型号:STL7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），67W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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