STL7N6F7

STL7N6F7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat（2x2）封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件在紧凑的封装内集成了60V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Id）处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻与开关损耗。

其技术参数表现突出：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为25毫欧@ 3.5A，配合最大8nC的低栅极电荷（Qg），确保了高效率的功率传输与快速开关性能。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，采用表面贴装形式，为高密度、高可靠性的电源管理及电机驱动应用提供了优化的解决方案。

• 型号:STL7N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
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