STL7NM60N技术参数详情：
STL7NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V驱动下优化的低导通电阻，旨在显著降低高压应用中的导通损耗。
其设计注重开关性能与效率的平衡，具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现高速开关并简化驱动电路设计。该MOSFET采用14-PowerFLAT表面贴装封装，在-55°C至150°C的结温范围内可提供5.8A的连续漏极电流和68W的功率处理能力，为紧凑且高效的电源解决方案提供了可靠的半导体基础。
- 型号:STL7NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:68W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
- 封装/外壳:14-PowerVQFN
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