STB15N80K5技术参数详情：
STB15N80K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压和14A的连续漏极电流能力，结合375毫欧的低导通电阻，为高压大电流应用提供了高效的功率开关解决方案。
其性能特点还包括32nC的低栅极电荷和优化的电容特性，这有助于降低开关损耗，提升系统在高频下的工作效率。器件采用D2PAK封装，最大功耗达190W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在工业级功率转换、电源及电机驱动等应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:STB15N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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