STL80N4LLF3

STL80N4LLF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用先进的沟槽技术，在40V的漏源电压（Vdss）下，能够支持高达80A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，优化了散热和空间占用。其栅极驱动特性良好，最大栅极电荷（Qg）为28nC，便于实现快速开关，适用于高频开关电源和电机驱动电路。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定运行。

• 型号:STL80N4LLF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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