STL86N3LLH6AG

STL86N3LLH6AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件基于STripFET H6技术，在30V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够处理高达80A（T_C）的连续电流，并实现了极低的导通电阻，典型值低至5.2毫欧（@10V, 10.5A），旨在最大限度地降低传导损耗。

其设计兼顾了开关性能与易驱动性，最大栅极电荷（Q_g）仅为17nC，有助于实现高效率的功率开关操作。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在恶劣汽车环境下的可靠性与耐久性，适用于各类高电流开关与电机驱动应用。

• 型号:STL86N3LLH6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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