STL8DN6LF3技术参数详情：
STL8DN6LF3是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级、双N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET III技术，在紧凑的8-PowerVDFN封装内集成了两个独立的通道，额定值为60V漏源电压和20A连续漏极电流，专为高功率密度和高效率应用而设计。
其核心电气特性突出表现为极低的导通损耗与快速的开关性能。导通电阻（RDS(on)）低至30毫欧（@10V，4A），配合仅13nC的栅极电荷（Qg），确保了在高频开关电源和电机驱动等应用中能实现优异的能效转换。作为逻辑电平器件，其2.5V的最大栅极阈值电压使其可直接由低压微控制器驱动，简化了系统架构。
- 型号:STL8DN6LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:668pF @ 25V
- 功率 - 最大值:65W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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