STL8NH3LL技术参数详情：
STL8NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道MOSFET，属于其高性能STripFET产品系列。该器件核心参数包括30V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），结合低至15毫欧（最大值）的导通电阻，旨在提供优异的功率处理能力与能效表现。
其电气特性针对高效开关应用进行了优化，具备较低的栅极电荷（最大值12nC）和宽泛的驱动电压兼容性（4.5V-10V），有助于实现快速切换并简化驱动电路设计。紧凑的3.3x3.3mm表面贴装封装与-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其适用于空间受限且对热管理有要求的各类电源管理和电机控制解决方案。
- 型号:STL8NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 8A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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