STL8P2UH7

STL8P2UH7是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术和紧凑的PowerFlat封装。该器件在20V漏源电压下提供8A的连续电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值22.5mΩ @ 4.5V, 4A）和较低的栅极电荷（最大值22nC @ 4.5V），这共同实现了高效的功率传输与快速的开关速度。

其设计兼容低电压逻辑驱动（V_GS(th)最大1V），简化了驱动电路。高达150°C的结温工作能力和2.4W的功耗容量，确保了其在空间受限且要求高可靠性的应用中的稳定表现，如便携式设备的负载开关、电源路径管理和DC-DC转换等场景。

• 型号:STL8P2UH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
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