STP45NF06技术参数详情：
STP45NF06是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的高效表现：60V的漏源电压和38A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础。
器件的关键优势在于其极低的导通电阻（28mΩ @ 10V, 19A）与优化的栅极电荷（58nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗与快速的开关速度，从而提升整体系统效率。高达175°C的结温与80W的功率耗散能力，则保证了其在严苛热环境下的工作可靠性。
- 型号:STP45NF06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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