STW12NK95Z

STW12NK95Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心特性在于其高达950V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，专为应对高电压、大功率的严苛应用环境而优化。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至900毫欧（@5A），有助于降低导通损耗。同时，113nC的栅极电荷（Qg）和4.5V的阈值电压使其具备良好的开关性能，便于驱动电路设计，有助于提升系统效率。该器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为230W，确保了其在工业级应用中的可靠性与鲁棒性。

• 型号:STW12NK95Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:113 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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