STL90N3LLH6

STL90N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI技术和PowerFlat（5x6）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（4.5毫欧 @ 10V, 12A）与栅极电荷（17nC @ 4.5V）的出色组合，旨在最大限度地降低导通和开关损耗，从而提升整体能效。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下连续漏极电流可达90A，功耗为60W。其设计支持宽栅极驱动电压范围（±20V），并具备较低的栅极阈值电压，确保了与标准逻辑电平控制器的兼容性和快速开关能力。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换器等要求高效率和高功率密度应用的理想选择。

• 型号:STL90N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 90A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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