STL9N60M2

STL9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh II Plus技术，专为高效率、高可靠性的高压开关应用而设计。其核心优势在于600V的漏源电压（V_DSS）额定值，为离线电源应用提供了坚固的保障。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至860mΩ，同时栅极电荷（Q_g）仅为10nC，这一优异的FOM（品质因数）组合实现了传导损耗与开关损耗的双重优化。其采用紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达4.8A的连续漏极电流和150°C的最高结温，确保了在空间受限且要求高温稳定性的应用场景中的出色表现。

• 型号:STL9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:860 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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