STL9N65M2技术参数详情：
STL9N65M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装型PowerFLAT 5x5封装。该器件核心规格包括650V的漏源电压和4.5A的连续漏极电流，使其适用于高压、中等电流的功率开关应用。
其设计侧重于在高压条件下实现良好的性能平衡。紧凑的封装形式有助于在空间受限的设计中实现高功率密度和有效的热管理。该器件适用于需要高效功率转换和可靠高压开关的各类电源与驱动系统。
- 型号:STL9N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
- 现在可以订购STL9N65M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
