VNS1NV04DPTR-E技术参数详情：
VNS1NV04DPTR-E是ST意法半导体推出的一款单片智能低端功率开关，隶属于OMNIFET II系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET，采用简单的开/关接口控制，最大负载电压36V，可持续输出1.7A电流，并具备低至250毫欧的典型导通电阻，有效降低了功率损耗。
其核心价值在于内置了全面的片上保护功能，包括固定阈值限流、过温关断和过压钳位，无需外部元件即可实现强大的系统保护，显著提升了应用的可靠性。器件采用8-SO表面贴装封装，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，适用于汽车、工业控制及家电等要求苛刻的负载驱动与配电开关场景。
- 型号:VNS1NV04DPTR-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
- 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 开关类型:通用
- 输出数:2
- 比率 - 输入:1：1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出（最大值）:1.7A
- 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流（固定），超温，过压
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
- 现在可以订购VNS1NV04DPTR-E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
