STD12NM50ND技术参数详情：
STD12NM50ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心优势在于其500V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至380毫欧（@10V， 5.5A）的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，能够在高压应用中有效降低导通损耗。
其电气参数针对高效开关应用进行了优化，在25°C壳温下可支持11A的连续漏极电流，并具备30nC的低栅极电荷（Qg）和150°C的最高工作结温。这些特性使其特别适用于需要高可靠性和高效率的功率转换领域，如开关电源、功率因数校正及电机控制等。
- 型号:STD12NM50ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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