STN1NF10

STN1NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件隶属于STripFET II产品系列，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值和1A的连续漏极电流（Id）处理能力，为中小功率应用提供了可靠的开关解决方案。

其电气参数表现出色，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为800毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大6nC）和输入电容（Ciss，最大105pF）确保了快速的开关特性，有利于提升系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于各种环境条件。

• 型号:STN1NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:105 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 现在可以订购STN1NF10，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。