STGWT60H60DLFB技术参数详情：
STGWT60H60DLFB是意法半导体生产的一款600V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3L封装。其核心优势在于较低的导通损耗，在15V栅极驱动、60A电流条件下，最大饱和压降仅为2V，同时支持高达240A的脉冲电流能力，为负载突变提供了保障。
该器件具备标准的输入特性和良好的开关性能，其栅极电荷为306nC，关断延迟时间为160ns，在测试条件（400V， 60A， 5欧姆， 15V）下关断能量为626J。坚固的封装支持高达175°C的结温，最大功耗为375W，确保了在工业环境下的高可靠性，适用于电机驱动、变频器等中高功率转换场景。
- 型号:STGWT60H60DLFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3P
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:626J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:306 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns
- 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P
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