STN1NK80Z技术参数详情：
STN1NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道高压MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。其核心优势在于高达800V的漏源击穿电压（Vdss）与优化的开关特性相结合，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值为16欧姆，最大栅极电荷（Qg）仅为7.7nC。
这些参数共同确保了器件在高压环境下具备低导通损耗和快速的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率。其250mA的连续漏极电流能力和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，使其能够满足紧凑型、高效率离线电源及工业控制应用中对可靠性和性能的严格要求。
- 型号:STN1NK80Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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