STN3N40K3

STN3N40K3是ST意法半导体推出的一款采用SuperMESH3技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用SOT-223表面贴装封装，核心优势在于其400V的高漏源电压（V_DSS）与优化的动态参数相结合，为高压开关应用提供了高效的解决方案。

其电气参数设计旨在降低整体损耗。1.8A的连续漏极电流能力和低至3.4欧姆的导通电阻（@10V, 600mA）确保了良好的导通性能。同时，极低的栅极电荷（11nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统能效。宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠性。

• 型号:STN3N40K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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