STO33N60M6

STO33N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TOLL（HV）表面贴装封装，核心优势在于其600V的击穿电压和25A的连续电流能力，同时实现了极低的导通电阻（125mΩ @12.5A, 10V），这显著降低了功率传导损耗。

此外，其优化的栅极电荷（33.4nC @10V）和输入电容特性，确保了快速、高效的开关性能，有助于减少开关损耗并提升系统工作频率。结合高达230W的功率耗散能力和-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其成为高功率密度和高可靠性设计的理想选择，尤其适用于开关电源、电机驱动及新能源转换等前沿应用领域。

• 型号:STO33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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