STN3N45K3技术参数详情：
STN3N45K3是ST意法半导体SuperMESH3系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。其核心规格包括450V的漏源击穿电压（Vdss）和600mA的连续漏极电流（Id），为高压、小电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至3.8欧姆，有助于最小化导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大6nC）和输入电容（Ciss，最大150pF）确保了快速、高效的开关操作，从而降低开关损耗。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的离线式电源、LED驱动及辅助电源等应用的理想选择。
- 型号:STN3N45K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 450V 600MA SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:450 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 600mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:164 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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