STP90NF03L技术参数详情：
STP90NF03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其高达90A的连续漏极电流承载能力与极低的导通电阻（典型值6.5mΩ @ 10V, 45A），这使其在导通状态下的功率损耗降至最低，显著提升系统效率。
其30V的漏源电压（Vdss）与5V/10V的标准逻辑电平驱动电压兼容，便于设计。同时，较低的栅极电荷和宽泛的工作温度范围（-65°C至175°C）确保了其在开关电源、电机驱动等应用中的快速响应与可靠运行。该器件为要求高电流密度和低损耗的功率开关应用提供了一个经过验证的解决方案。
- 型号:STP90NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 45A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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