STN3PF06

STN3PF06是ST意法半导体推出的一款采用SOT-223封装的P沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件设计用于60V、2.5A的中等功率应用场景，其核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化平衡。

在10V栅极驱动下，其导通电阻最大值仅为220毫欧（@1.5A），能有效降低导通损耗。同时，最大21nC的栅极电荷确保了高效的开关性能，有助于简化驱动电路设计并提升系统效率。器件支持-65°C至150°C的宽工作结温范围，并采用表面贴装形式，适用于对空间和热管理有要求的紧凑型电源管理与开关电路。

• 型号:STN3PF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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