STN4NF06L技术参数详情：
STN4NF06L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在中等功率开关应用中的优势地位：60V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）提供了稳健的功率处理能力。
该器件的关键卖点在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下表现突出，有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其非常适合高频PWM操作。此外，其逻辑电平兼容的栅极驱动电压（典型5V/10V）简化了电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠性。
- 型号:STN4NF06L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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